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IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito integrato N-Channel Mosfet Transistor

IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito integrato N-Channel Mosfet Transistor

IPD082N10N3 Ic circuito integrato

Circuito integrato di IC

IPD082N10N3 Chip IC di circuito integrato

Luogo di origine:

Originale

Marca:

INFINEON

Numero di modello:

IPD082N10N3

contattici

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Dettagli del prodotto
qualità::
Inutilizzato nuovissimo
Pacchetto/scatola::
TO-252
Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo
1PCS
Prezzo
Negotiate
Imballaggi particolari
4000
Tempi di consegna
3
Di riserva
8000+
Termini di pagamento
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione
57830pcs
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contattici
Descrizione del prodotto

ISO9001.pdf

IPD082N10N3 è un transistor MOSFET a canale N. Le sue applicazioni, conclusioni e parametri sono i seguenti:
Applicazione:
Utilizzato come interruttore di carico ad alta tensione e ad alta potenza
Utilizzato come interruttore per convertitori e regolatori
Conclusione:
Capacità ad alta tensione: Vds=100V
Basse resistenze di conduzione: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Velocità di commutazione rapida: td (accesi) = 16ns (tipico), td (spenti) = 60ns (tipico)
Performance ad alte temperature: può funzionare a temperature fino a 175 °C
Rispetto alle direttive RoHS e ai requisiti per l'uso senza piombo
Parametri:
Vds (tensione della fonte di scarico): 100V
Vgs (tensione della sorgente della porta): ± 20V
Id (corrente di scarico): 80A
Rds (on) (resistenza di conduzione): 8,2m Ω (tipico)
Qg (carica di porta): 135nC (tipico)
Td (on) (tempo di ritardo di avvio): 16ns (tipico)
Td (off) (tempo di ritardo di spegnimento): 60 ns (tipico)
Tj (temperatura di giunzione): 175 °C
Risponde alle direttive RoHS e ai requisiti per la protezione contro il piombo.

Specificativi tecnici del prodotto
RoHS UE Conforme all'esenzione
ECCN (USA) EAR99
Status della parte Non confermato
SVHC - Sì, sì.
SVHC supera la soglia - Sì, sì.
Autoveicoli Non conosciuto
PPAP Non conosciuto
Categoria di prodotto MOSFET di potenza
Configurazione Non sposato
Tecnologia dei processi OptiMOS 3
Modalità canale Miglioramento
Tipo di canale N
Numero di elementi per chip 1
Tensione massima della sorgente di scarico (V) 100
Tensione massima della sorgente di porta (V) ¥20
Tensione di soglia massima di ingresso (V) 3.5
Corrente di scarico continua massima (A) 80
Corrente massima di fuga della sorgente di sfiato (nA) 100
IDSS massimo (uA) 1
Resistenza massima della fonte di drenaggio (mOhm) 8.2@10V
Cargo tipico di porta @ Vgs (nC) 42@10V
Carica tipica della porta @ 10V (nC) 42
Capacità di ingresso tipica @ Vds (pF) 2990@50V
Dissipazione di potenza massima (mW) 125000
Tempo tipico di caduta (ns) 8
Tempo tipico di aumento (ns) 42
Tempo di ritardo tipico di spegnimento (ns) 31
Tempo di ritardo tipico di accensione (ns) 18
Temperatura minima di funzionamento ( capturC) - 55
Temperatura massima di funzionamento ( capturC) 175
Imballaggio Nastro e bobina
Montaggio Montaggio superficiale
Altezza del pacchetto 2.41 (max)
Larghezza del pacchetto 6.22 (massimo)
Lunghezza del pacchetto 6.73 (massimo)
PCB modificato 2
Tab Tab
Nome del pacchetto standard TO-252
Pacco fornitore DPAK
Conteggio degli spilli 3
Forma del piombo Albero di gabbiano

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